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單晶電池片(4BB)
相關數據和設計/Mechanical Data And Design
規格 Format 156.75mm x 156.75mm ±0.5mm
厚度 Thickness(wafer) 200μm±20μm
正面 Front(-) 主柵線寬度1.0mm,藍色氮化硅膜
1.0mm bus bars(silver),blue anti-reflection coating(silicon nitride)
背面 Back(+) 背電極寬度2.0mm,背場印刷鋁漿
2.0mm wide soldering pads(silver)back surface field(aluminium)
溫度系數/Temperature Coefficients
電壓溫度系數 TkVotlage -0.33%/K
電流溫度系數 TkCurrent +0.048%/K
功率溫度系數 TkPower -0.43%/K
光強相關性/Intensity Dependence
光強 Intensity(w/㎡) 電流 Isc(mA) 電壓 Voc(mV)
1000 1.00 1.000
900 0.90 0.996
500 0.50 0.968
300 0.30 0.942
200 0.20 0.920
*標準測試條件AM1.5
Calibrated under AM1.5 global SRC in Fraunhofer ISE
*在光強1000W/㎡的條件下衰減
Ratio of Voc(Isc)at reduced intensity to Voc(Isc)at 1000W/㎡
電性能參數/Electrical Characteristics
轉換效率 Efficiency(%) 最大功率 Pmpp(W) 最大功率時電壓 Umpp(V) 最大功率時電流 Impp(A) 開路電壓 Uoc(V) 短路電流 Isc(A) 填充因子 FF(%)
20.00 4.89 0.549 8.93 0.642 9.43 81.94
19.90 4.86 0.547 8.92 0.642 9.42 80.69
19.80 4.84 0.545 8.90 0.641 9.41 80.56
19.70 4.81 0.544 8.88 0.640 9.39 80.46
19.60 4.79 0.543 8.85 0.639 9.36 80.38
19.50 4.76 0.540 8.84 0.637 9.35 80.25
19.40 4.74 0.538 8.82 0.636 9.34 79.95